三星电子正在加快其平泽P5晶圆厂的建设节奏。据韩媒ZDNET Korea报道，该公司已在本季度启动P5 PH1阶段的洁净室建设，这一时间点早于此前预期。该阶段产线将专注于DRAM内存生产，显示出三星对内存市场的前瞻性布局。

按照原定进度，半导体制造设备进场时间应落在2027年7月至8月。但消息人士透露，三星电子现已要求将设备导入提前至明年5月至6月，甚至希望在2027年第一季度就获取设备并暂存他处。这一系列动作表明，三星对提前投资P5项目的意愿非常强烈。

与此同时，三星电子正与合作伙伴商讨将P5 PH2阶段建成尖端NAND闪存生产线的可能性。由于设备交期大幅延长，公司已要求合作伙伴提前备好相关零部件，以确保产线建设按计划推进。

从DRAM到NAND，三星在平泽P5的产能规划逐渐清晰。加速建设与提前设备导入的策略，反映出其对半导体市场复苏的预判，以及巩固存储芯片领导地位的决心。后续进展值得持续关注。