据韩媒 ZDNET Korea 报道，三星电子正在推进多款面向人工智能负载优化的 NAND 闪存产品开发。在已公布的 zNAND-O 之外，该公司还在研发 zNAND-T 与 zNAND-I 两款新品，进一步扩充其定制化存储产品矩阵。

从命名规则看，zNAND-T 中的“T”代表 Throughput（吞吐量）。该产品在思路上接近闪迪和 SK 海力士提出的 HBF 概念，主要面向数据中心 AI 半导体需求，优化读写带宽表现，并采用 TSV 堆叠 NAND Die 技术。zNAND-I 的“I”则取自 IOPS，指向随机性能，强调在少量数据频繁读写场景下的表现，KV Cache 卸载即属于此类应用。

三种 zNAND 产品各有侧重，分别对应不同的应用负载。这一布局意味着 NAND 闪存正从通用型产品向定制化方向转变，以应对 AI 计算对存储层级提出的差异化要求。