DRAM内存芯片与模组制造商南亚科技正将业务版图延伸至先进封装领域。该公司于10月1日宣布，将在屏东科学园区投资建设一座3D晶圆封装测试工厂，此举标志着这家存储厂商正式切入晶圆级封测赛道。

据披露，该封测设施将引入TSV（硅通孔）与晶圆堆叠等3D IC先进技术，目标是构建晶圆级（Wafer Level）封装与测试的专业制造整合能力。这一技术路线的选择，直接指向AI应用快速发展所催生的高性能、高带宽内存需求。

从工厂的技术定位来看，南亚科技的新后端产线将瞄准“类HBM”的内存解决方案。这意味着该公司有望借此承接各类AI芯片的封装订单，在AI算力供应链中占据一席之地。

当前，AI芯片对内存带宽的要求持续攀升，HBM等先进封装产能已成为产业链的关键瓶颈。南亚科技此次在屏东科学园区落子，反映出存储厂商正加速向先进封测环节渗透，以把握AI时代的内存升级机遇。