在近日举办的2026全球AI芯片峰会上，后摩智能（HOUMO.AI）对外确认了其下一代大模型端边AI芯片的技术路线：该芯片将基于3D CIM存算一体架构打造，并把存算融合与3D DRAM技术结合在一起。这意味着后摩智能在端边大模型芯片上选择了垂直堆叠的演进方向。

按照后摩智能公布的信息，新一代旗舰芯片的目标是让端侧具备超实时的思考与互动能力。借助垂直堆叠结构，芯片能够在同等面积下实现2倍算力，同时还有望进一步缓解功耗与散热方面的压力。对于端边设备而言，算力密度与能效比正是制约大模型落地的关键指标。

后摩智能上一代产品是2025年7月发布的后摩漫界M50芯片。该芯片典型功耗为10W，可提供160TOPS（INT8）或100TFLOPS（bFP16）算力，支持48GB内存容量和153.6GB/s内存带宽。目前M50已获得超过150款产品定点，应用场景较为丰富。

从M50的规模化定点到下一代3D CIM架构的确认，后摩智能正在延续其端边AI芯片的迭代节奏。3D CIM与3D DRAM的组合能否在量产中兑现2倍算力的承诺，将影响端侧大模型设备的性能上限与散热设计空间。