三星电子在先进DRAM技术路径上作出了一次关键调整。据韩媒ZDNET Korea报道，三星存储器业务近期更新了其先进内存技术的路线图，首代亚10nm级DRAM将采用混合键合结构，而非此前规划的垂直通道晶体管方案。

这一调整涉及两个平行开发的亚10nm节点。按照新路线图，混合键合的B1b节点被扶正为新的D0a工艺，计划在第7代10nm级1d nm之后导入；而原本计划用于D0a的4F² VCT方案，代号随之调整为D0a-V。这意味着三星在首代亚10nmDRAM上，优先选择了混合键合这条路径。

在具体实现上，新版D0a节点将把存储阵列与外围电路分别放在不同晶圆上制造，再通过W2W（晶圆对晶圆）混合键合将两部分结合。这种分工方式允许针对阵列和外围器件分别进行优化，相关工艺已在3D NAND上得到广泛应用。

从技术门槛看，混合键合已在量产级别得到验证，而4F² VCT需要高深宽比蚀刻来形成垂直通道，前者的DRAM商业化难度相对更低。三星此次路线图调整，反映出其在亚10nmDRAM世代对量产可行性的权衡。